首先,GaN 器件可实现更紧凑的电源系统,单位体积可传输更多功率。GaN 器件的工作频率远高于传统硅器件。典型 GaN 器件允许变换器在数十兆赫(MHz)频率下工作,从而显著减小电感器、变压器和电容器等无源元件的尺寸。这使得整个功率转换系统体积更小、重量更轻、成本更低。对于空间受限和预算紧张的应用场景,如航空航天、机械臂、无人机及边缘通信等行业,小巧轻便的电源系统尤为理想。使用 GaN 器件的 5G 基站电源可实现更高的能效与更小的占用空间,这对热管理严格、设备密集的通信系统至关重要。
第五,GaN 器件适用于更广泛的电压范围。它们在低压至高压(从消费级快充器到 600V 以上的工业电源)应用中均可高效运行,具备极强的适应性。便携消费类产品同样能从 GaN 技术中获益。基于 GaN 的手机及笔记本电脑充电器不仅充电速度更快,尺寸也更小,便于用户携带,极大提升了日常使用的便利性。
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下表为?GaN 与硅器件在实际应用中的综合对比:
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芯干线的解决方案
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芯干线公司已开发出适用于宽电压范围的 GaN 器件,包括 GaN HEMT 和 GaN 模块,可供客户灵活选择。客户可根据电压、电流等级、导通电阻及封装尺寸等参数选择合适的 GaN 器件。由于集成了 GaN HEMT 与栅极驱动器,芯干线公司的 GaN 模块(如 X3G65045HMB 和XG045HB065G1)为工程师提供了高效且易于设计的解决方案。
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